先進半導體裝置的自動大面積等離子體 FIB 去層和原位奈米探測
透過我們最新的網路研討會釋放半導體裝置分析的潛力。了解TESCAN Group和Imina Technologies提出的自動化大面積等離子體 FIB 延遲和原位奈米探測的創新方法。
本次會議涵蓋半導體擴展到 14 nm 以下技術節點的挑戰及其對故障分析和品質控制的影響。它強調了TESCAN 在低角度拋光和「鑽孔噴嘴」技術方面的進步，可實現均勻金屬層去除和高達 300x300 µm² 的大延遲區域。深入了解7 nm 和 5 nm 裝置的延遲過程、自動終點檢測以及 Imina Technologies 的奈米探測平台與TESCAN 的 CLARA儀器的整合以增強電氣分析。
認識東道主
盧卡斯·赫拉迪克 來自 FIB-SEM 技術領域的著名專家 TESCAN，以及 Imina Technologies 聯合創辦人Guillaume Boetsch為此次綜合會議帶來了多年的顯微鏡精密機器人技術專業知識。
觀看錄音，獲得對先進半導體裝置分析的寶貴見解，並利用我們的整合解決方案來提高您的技術知識。