高效資源利用
該系統利用預程式設計配方實現無人值守、一致的等離子體 FIB 分層，從而為您的研究提供支援，同時保持設備完整性。
專有化學集成
受益於 Xe Plasma FIB 與 TESCAN 的 m 的協同作用，專為跨當代半導體節點的最佳去層而設計。
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使用 Nanoflat 和 C 迷宮化學技術自動通過 7 nm FinFET CPU 器件的多個底層進行分層。
定製和
一致性
使用預定義的範本製作和應用獨特的脫層工藝，確保樣品的統一應用和可重複性。
深入
監測
通過複雜的終點檢測跟蹤去層進程，利用TESCAN分層模組中的峰值識別實現精確停止。
A） 在去層化過程中對FIB端點信號進行即時峰值檢測。
B） 14 nm 器件去層至 M0。在 500 eV 下成像和探測。
不斷
保證
依靠自動化流程，在到達關鍵層之前停止分層，保護設備功能。
EssenceTM 自動去層化的高級應用
增強成像
利用低於 1 kV 的 SEM 成像實現明顯的電壓對比度和快速故障識別。
化學選項
從各種脫層化學試劑中進行選擇，如 Nanoflat、Chase 和 C-maze，專為各種樣品類型量身定製。
EssenceTM 模組
利用 Essence Delayering 模組在 3D NAND 堆疊中進行均勻蝕刻，確保進行徹底的分析。