全面
去分層
在較厚的中間層和 I/O 設備層上執行徹底的等離子體 FIB 去層，確保超越傳統方法的卓越過程控制。
層堆疊
掌握
精確地流覽整個層堆疊，或在單個等離子體 FIB 系統中利用組合方法為舊技術定製分層。
圖像顯示，器件的 M14 和 M13 金屬/通孔層具有均勻的分層層。
監測
卓越
通過連續的波束內 BSE 信號評估，通過 EPD 曲線中的峰值識別來細緻地觀察去層化進展。
平面度
保證
通過採用專門的夾具支架實現最佳的去層平面度，確保樣品水準度優於傳統安裝技術。
食譜
定製
根據實驗室的要求開發量身定製的分層方案，並具有可保存的設置，可加快樣品類型之間的轉換。
自信
脫處理
依靠我們合作夥伴提供的經過驗證的軟體指導來定義和監控多工位銑削，確保徹底和精確地去除層。
TESCAN低角度拋光的高級功能
瞭解TESCAN EssenceTM在增強樣品比對、一致的分層和準確監測方面的優勢，所有這些都對研究的深度和精確度做出了重大貢獻。
專用夾具樣品架，確保樣品在脫處理時具有更好的水準度
半導體元件較厚中間層或輸入輸出 （I/O） 區域的均勻等離子體 FIB 去層化
基於繪製到TESCAN EssenceTM低角度拋光模組的即時監視器圖中的柱內BSE信號，實時監測強度曲線。