TESCAN Plsama FIB-SEM(PFIB)的主要優點
以目標為導向的性能
利用 Xe Plasma FIB(PFIB) 離子束的高束流快速材料去除的性能，進行高效的物理性故障分析。
大深度樣品
訪問
使用最大可達3 μA 的離子束電流到達深度達 1 mm 的底層結構。
奈米級精度
通過Triglav™ SEM鏡筒的高解析度成像，在切削或橫截面過程中實現奈米級精度及SEM視野下的最終停刀端點。
出色的表面靈敏度和高材料對比度
使用TESCAN的Triglav™ SEM鏡筒對光束敏感材料進行超高解析度成像，該超高分辨率SEM鏡筒專為出色的表面靈敏度和材料對比度的性能而設計。
樣品原貌保持
使用Plasma FIB(PFIB)的惰性氙氣體(Xenon)離子來製備高品質、無損傷的TEM樣品，並避免Ga+的植入或表面損傷。
無人工鑿痕
結果
使用我們獲得專利的TESCAN搖擺載台(Rocking stage)以交替角度切削，和TESCAN Ture X-sectioning (矽遮罩片解決方案)，即使在具有挑戰性的複合材料上也能創建無刀痕(窗簾流瀑效應)的橫截面，可以在離子束高電流下實現最高效率的應用。
用戶導向
介面
通過TESCAN Essence™軟體中的圖形化用戶介面的高級工作流程提高所有用戶的生產力。
註冊參加我們的網路研討會，以瞭解有關TESCAN Plasma FIB-SEM(PFIB)的更多資訊
解開複雜挑戰的故障分析：分析新一代IC封裝和電子元件
對進階堆疊式IC封裝（2.5D、3D IC）、倒置覆晶封裝 (Flip-chip)、MEMS元件、OLED和TFT顯示器、MLCC電容器、3D NAND等進行物理故障分析。
揭開材料秘密：深入的3D EDS和EBSD微量分析
對錫球(solder ball)、矽通道穿孔(TSV) 和焊盤 (bond pad)等先進封裝元件採用快速大體積的3D EDS和3D EBSD進行深入的材料成分和特徵微觀分析。
發現底部內特徵：製作用於STEM分析的無Ga離子植入無損傷的TEM薄片
從封裝樣品和IC樣品中生產厚度低於100nm的精密、高品質、無Ga+植入的TEM薄片(Lamella)，用於後續的 STEM 分析。
使用我們的解決方案增強您複雜分析的可能性
TESCAN True X-Sectioning (矽遮罩片解決方案)
通過高束流的Plasma FIB(PFIB)實現無刀痕(窗簾流瀑效應)的橫截面來節省時間。