FIB 橫截面與
TESCAN搖擺載台(Rocking stage)

為具有挑戰性的樣品實現無刀痕(窗簾流瀑效應)的FIB橫截面和精確的SEM視野下的停刀終點

TESCAN搖擺載台(Rocking stage)的主要優點

"固定角度拋光切削"與"搖擺多角度拋光切削"的比較。搖擺不同多角度拋光可有效去除刀痕(窗簾流瀑效應)。

刀痕(窗簾流瀑效應)消失了

01-1

消除由於較大的切削速率,或不均勻的表面形貌, 或樣品內部形狀所引起的 FIB 的刀痕(窗簾流瀑效應),從而改善最終的切削成像結果。

精準的成果是觸手可及的

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透過在整個切削和傾斜過程中的 SEM 即時監控(邊切邊看),實現您感興趣區域的準確端點。

提高樣品製備效率

元件 12 – 2

使用TESCAN搖擺載台(Rocking stage)的設定響導功能可最大限度地提高吞吐量以提高工作效率,並可自動執行搖擺程序的動作和預先設定的位置。

適應各種複雜的樣品

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通過無刀痕(窗簾流瀑效應)的FIB橫截面切削和橫截面拋光,提高半導體元件或先進材料失效分析的最終樣品實現高品質的成果。

"多功性"與"相容性"的完美整合

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受益於樣品預抽室(Load Lock)、電子束逆向偏壓減速模式(BDM),和 R-STEM 探測器彼此完全相容的設計,而且不會犧牲或牴觸系統平台的多功性。

TESCAN搖擺載台(Rocking stage)的進階應用

使用TESCAN搖擺載台(Rocking stage)之前與之後的橫截面表面品質比對。最終結果顯示Rocking stage沒有人工刀痕。

掌握失效的技術
分析

利用TESCAN搖擺載台(Rocking stage)的無刀痕(窗簾流瀑效應)的FIB橫截面功能,提高半導體元件或先進材料故障分析中的最終樣品品質成果。

使用TESCAN SOLARIS X 完成錫球(solder ball)的三維EBSD影像3D重構(EBSD斷層掃描)。

完善您的
斷層掃描

使用TESCAN搖擺載台(Rocking stage)最大限度地減少刀痕(窗簾流瀑效應)並實現樣品原貌的成像結果,並增強FIB-SEM斷層掃描圖像採集品質。

400 μm寬的樣品透過Plasma FIB(PFIB)完成橫截面穿過Passivation和Polyimide來檢查 RDL層。

輕鬆處理大尺寸應用的樣品

通過TESCAN搖擺載台(Rocking stage)的多功能設計,處理大量的樣品並幫助您對不同種類樣品的研究。

問題?
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我們的全球團隊已經準備好隨時可提供有關TESCAN FIB-SEM對於半導體和IC封裝故障分析解決方案。