用於去分層的 TESCAN AMBER X
均勻
去分層
利用我們量身定製的 Nanoflat Chase 和 C 迷宮氣體化學成分，實現一致、無偽影的去層化，這些化學成分針對 10 nm 以下技術節點進行了優化。
裝置
正直
使用我們精確的低 kV 等離子體 FIB 銑削保持電氣性能，採用惰性 Xe 離子進行精細處理。
失敗
地方化
通過我們精細的鏡頭內檢測簡化缺陷隔離，專為有效的無源電壓對比成像而設計。
去分層
自動化
使用我們的智慧TESCAN DelayeringTM軟體簡化終點確定，自動對目標層進行分層。
電氣
分析
使用相容的行業領先的納米探測解決方案，促進電氣故障的原位驗證或表徵。
使用者
生產力
通過直觀的TESCAN EssenceTM圖形用戶介面，提高所有專業水準用戶的運營效率。
探索 TESCAN AMBER X
用於分層
TESCAN AMBER X在去層化方面的優勢
利用基於 SEM 的納米探測對各個半導體節點的 NMOS 和 PMOS 晶體管進行詳細表徵，從而實現精確的層目標，從而實現有效的去層化。
基於SEM的深度納米探測
利用複雜的基於 SEM 的
納米探測準確
表徵NMOS和PMOS
晶體管範圍
半導體節點，包括
22、14、10 和 5 nm。
有針對性的均勻去分層
獲得一絲不苟的制服
分層，賦能
先進的自動化，敏銳
識別並停止在您的
堆疊中的指定圖層。
一致的大面積去分層
利用我們專門的“鑽孔”噴嘴，確保在 300 × 300 μm2 的大面積上實現廣闊、均勻的分層。