TESCAN SOLARIS X
Plasma FIB-SEM(PFIB)
廠房
利用我們先進的深層橫截面和最高分辨率的整合具平台來改進封裝樣品的故障分析
TESCAN Plsama FIB-SEM(PFIB)的主要優點
以目標為導向的性能
利用 Xe Plasma FIB(PFIB) 離子束的高束流快速材料去除的性能,進行高效的物理性故障分析。
大深度樣品
訪問
使用最大可達3 μA 的離子束電流到達深度達 1 mm 的底層結構。
奈米級精度
通過Triglav™ SEM鏡筒的高解析度成像,在切削或橫截面過程中實現奈米級精度及SEM視野下的最終停刀端點。
出色的表面靈敏度和高材料對比度
使用TESCAN的Triglav™ SEM鏡筒對光束敏感材料進行超高解析度成像,該超高分辨率SEM鏡筒專為出色的表面靈敏度和材料對比度的性能而設計。
樣品原貌保持
使用Plasma FIB(PFIB)的惰性氙氣體(Xenon)離子來製備高品質、無損傷的TEM樣品,並避免Ga+的植入或表面損傷。
無人工鑿痕
結果
使用我們獲得專利的TESCAN搖擺載台(Rocking stage)以交替角度切削,和TESCAN Ture X-sectioning (矽遮罩片解決方案),即使在具有挑戰性的複合材料上也能創建無刀痕(窗簾流瀑效應)的橫截面,可以在離子束高電流下實現最高效率的應用。
用戶導向
介面
通過TESCAN Essence™軟體中的圖形化用戶介面的高級工作流程提高所有用戶的生產力。
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解開複雜挑戰的故障分析:分析新一代IC封裝和電子元件
對進階堆疊式IC封裝(2.5D、3D IC)、倒置覆晶封裝 (Flip-chip)、MEMS元件、OLED和TFT顯示器、MLCC電容器、3D NAND等進行物理故障分析。
揭開材料秘密:深入的3D EDS和EBSD微量分析
對錫球(solder ball)、矽通道穿孔(TSV) 和焊盤 (bond pad)等先進封裝元件採用快速大體積的3D EDS和3D EBSD進行深入的材料成分和特徵微觀分析。
![TESCAN Ture X-sectioning (矽遮罩片方案)工作流程中奈米機械手臂中所提起的預製矽遮罩片。](https://zh-tw.info.tescan.com/hs-fs/hubfs/2023_Semiconductors%20Website%20Assets/Images/Packaging-L2-deep-setioning-img-700x700px-scalebar-logo-02.jpg?width=700&height=700&name=Packaging-L2-deep-setioning-img-700x700px-scalebar-logo-02.jpg)
發現底部內特徵:製作用於STEM分析的無Ga離子植入無損傷的TEM薄片
從封裝樣品和IC樣品中生產厚度低於100nm的精密、高品質、無Ga+植入的TEM薄片(Lamella),用於後續的 STEM 分析。
使用我們的解決方案增強您複雜分析的可能性
TESCAN True X-Sectioning (矽遮罩片解決方案)
![TESCAN Ture X-sectioning (矽遮罩片方案)工作流程中的各種尺寸的預製備的矽遮罩片。](https://zh-tw.info.tescan.com/hs-fs/hubfs/truex8.png?width=738&height=493&name=truex8.png)
通過高束流的Plasma FIB(PFIB)實現無刀痕(窗簾流瀑效應)的橫截面來節省時間。
問題?
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